Sperrschicht Feldeffekttransistor - FET
Der Artikel beschreibt Aufbau, Funktionsweise und Eigenschaften von Sperrschicht‑Feldeffekttransistoren (FET). Dabei wird erläutert, dass der FET ein unipolares Halbleiterbauelement ist, bei dem der Stromfluss durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Der Aufbau mit Gate, Source und Drain sowie die Beeinflussung des Stroms durch die Gate‑Source‑Spannung werden erklärt. Ergänzend werden Kennlinien, wichtige Kenngrößen und typische Einsatzbereiche wie Verstärker- und Schaltanwendungen dargestellt.
Detlef Mietke
| Lernressource | Webseite |
| Lizenz | Copyright, freier Zugang |
| Zusätzliche Lizenzinformationen | © Detlef Mietke |
| Beruf |
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| Sprache | Deutsch |
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