MOS-Feldeffekttransistor

Der Artikel beschreibt Aufbau, Funktionsweise und Eigenschaften von MOS‑Feldeffekttransistoren, bei denen das Gate durch eine isolierende Oxidschicht vom Halbleiter getrennt ist. Es wird zwischen selbstleitenden und selbstsperrenden MOS-FET sowie p‑ und n‑Kanälen unterschieden. Der Stromfluss zwischen Drain und Source wird über ein elektrisches Feld gesteuert, wodurch eine nahezu verlustfreie Ansteuerung möglich ist. Zudem werden Kennlinien, Bauformen und Schutzmaßnahmen gegen elektrostatische Entladung erläutert.